ON Semiconductor FDC6321C MOSFET

Код товара RS: 166-2481Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDC6321C
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА, 680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ом, 450 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.7мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,64 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDC6321C MOSFET

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FDC6321C MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА, 680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ом, 450 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.7мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,64 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.