ON Semiconductor BSS138W MOSFET

Код товара RS: 903-4112Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS138W
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

340 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.25мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BSS138W MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BSS138W MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

340 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.25мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.