Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.95V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.05V
Максимальное рассеяние мощности
272 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 1 783,53
тг 594,51 Each (In a Pack of 3) (ex VAT)
Стандартная упаковка
3
тг 1 783,53
тг 594,51 Each (In a Pack of 3) (ex VAT)
Стандартная упаковка
3
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
3 - 48 | тг 594,51 | тг 1 783,53 |
51 - 246 | тг 527,46 | тг 1 582,38 |
249 - 498 | тг 455,94 | тг 1 367,82 |
501 - 1497 | тг 357,60 | тг 1 072,80 |
1500+ | тг 348,66 | тг 1 045,98 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.95V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.05V
Максимальное рассеяние мощности
272 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре