Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN0R9-25YLC,115

Код товара RS: 798-2895Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN0R9-25YLC,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,25 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.95V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.05V

Максимальное рассеяние мощности

272 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 783,53

тг 594,51 Each (In a Pack of 3) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN0R9-25YLC,115
Select packaging type

тг 1 783,53

тг 594,51 Each (In a Pack of 3) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN0R9-25YLC,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
3 - 48тг 594,51тг 1 783,53
51 - 246тг 527,46тг 1 582,38
249 - 498тг 455,94тг 1 367,82
501 - 1497тг 357,60тг 1 072,80
1500+тг 348,66тг 1 045,98

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,25 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.95V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.05V

Максимальное рассеяние мощности

272 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors