Microchip DN3765 Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK DN3765K4-G

Код товара RS: 598-171Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: DN3765K4-G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

DN3765

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China

P.O.A.

Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)

Microchip DN3765 Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK DN3765K4-G

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)

Microchip DN3765 Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK DN3765K4-G

Информация о наличии не успела загрузиться

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

DN3765

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China