P-channel MOSFET,IRF9620 3.5A 200V
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.02мм
Информация о товаре
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.02мм
Информация о товаре
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.