IXYS IXTN22N100L MOSFET

Name: IXYS IXTN22N100L MOSFET
Brand: IXYS
SKU: 1684610

Код товара RS: 168-4610Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXTN22N100L

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

Linear

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

Ширина

25.07мм

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

270 нКл при 15 В

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series

N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXTN22N100L MOSFET

P.O.A.

IXYS IXTN22N100L MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

Linear

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

Ширина

25.07мм

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

270 нКл при 15 В

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series

N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS