IXYS IXTN102N65X2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
X2-Class
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
595 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.42мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
152 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
X2-Class
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
595 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.42мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
152 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS