Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
HiperFET, Polar3
Тип корпуса
PLUS247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 kW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.21мм
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.34мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
HiperFET, Polar3
Тип корпуса
PLUS247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 kW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.21мм
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.34мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS