IXYS IXFP12N50P MOSFET

Код товара RS: 194-619Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFP12N50P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 542,80

тг 1 108,56 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP12N50P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 542,80
10тг 11 085,60
15тг 16 628,40
20тг 22 171,20
25тг 22 014,75
30тг 26 417,70
35тг 30 820,65
40тг 35 223,60
45тг 39 626,55
50тг 44 029,50
55тг 48 432,45
60тг 52 835,40
65тг 57 238,35
70тг 61 641,30
75тг 66 044,25

тг 5 542,80

тг 1 108,56 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP12N50P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 542,80
10тг 11 085,60
15тг 16 628,40
20тг 22 171,20
25тг 22 014,75
30тг 26 417,70
35тг 30 820,65
40тг 35 223,60
45тг 39 626,55
50тг 44 029,50
55тг 48 432,45
60тг 52 835,40
65тг 57 238,35
70тг 61 641,30
75тг 66 044,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 108,56тг 5 542,80
25 - 95тг 880,59тг 4 402,95
100 - 245тг 733,08тг 3 665,40
250 - 495тг 719,67тг 3 598,35
500+тг 661,56тг 3 307,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS