IXYS Polar HiPerFET N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

Код товара RS: 168-4576Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN200N10P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

Polar HiPerFET

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

680 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

25.07мм

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

235 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

9.6мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS Polar HiPerFET N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

P.O.A.

IXYS Polar HiPerFET N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

Polar HiPerFET

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

680 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

25.07мм

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

235 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

9.6мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS