Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
700 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
700 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS