IXYS IXFH88N30P MOSFET

Код товара RS: 193-559Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH88N30PDistrelec Article No.: 30253337
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

тг 4 461,06

тг 4 461,06 Each (ex VAT)

IXYS IXFH88N30P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 461,06
2тг 8 922,12
3тг 13 383,18
4тг 17 844,24
5тг 21 858,30
6тг 26 229,96
7тг 30 601,62
8тг 34 973,28
9тг 39 344,94
10тг 43 716,60
11тг 48 088,26
12тг 52 459,92
13тг 56 831,58
14тг 61 203,24
15тг 65 574,90

тг 4 461,06

тг 4 461,06 Each (ex VAT)

IXYS IXFH88N30P MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 461,06
2тг 8 922,12
3тг 13 383,18
4тг 17 844,24
5тг 21 858,30
6тг 26 229,96
7тг 30 601,62
8тг 34 973,28
9тг 39 344,94
10тг 43 716,60
11тг 48 088,26
12тг 52 459,92
13тг 56 831,58
14тг 61 203,24
15тг 65 574,90

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 4 461,06
5 - 19тг 4 371,66
20 - 49тг 3 750,33
50 - 99тг 3 678,81
100+тг 3 106,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS