IXYS IXFH69N30P MOSFET

Код товара RS: 193-543Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH69N30P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

69 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

156 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 424,02

тг 3 424,02 Each (ex VAT)

IXYS IXFH69N30P MOSFET
Select packaging type

тг 3 424,02

тг 3 424,02 Each (ex VAT)

IXYS IXFH69N30P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 424,02
5 - 24тг 3 356,97
25 - 49тг 2 883,15
50 - 99тг 2 825,04
100+тг 2 391,45

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

69 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

156 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS