Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
HiperFET, Polar
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
156 нКл при 10 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
21.46мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
тг 3 424,02
тг 3 424,02 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 424,02
тг 3 424,02 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | тг 3 424,02 |
5 - 24 | тг 3 356,97 |
25 - 49 | тг 2 883,15 |
50 - 99 | тг 2 825,04 |
100+ | тг 2 391,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
HiperFET, Polar
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
156 нКл при 10 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
21.46мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS