IXYS IXFH69N30P MOSFET

Код товара RS: 193-543Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH69N30P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

69 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

156 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 424,02

тг 3 424,02 Each (ex VAT)

IXYS IXFH69N30P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 424,02
2тг 6 848,04
3тг 10 272,06
4тг 13 696,08
5тг 16 784,85
6тг 20 141,82
7тг 23 498,79
8тг 26 855,76
9тг 30 212,73
10тг 33 569,70
11тг 36 926,67
12тг 40 283,64
13тг 43 640,61
14тг 46 997,58
15тг 50 354,55

тг 3 424,02

тг 3 424,02 Each (ex VAT)

IXYS IXFH69N30P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 424,02
2тг 6 848,04
3тг 10 272,06
4тг 13 696,08
5тг 16 784,85
6тг 20 141,82
7тг 23 498,79
8тг 26 855,76
9тг 30 212,73
10тг 33 569,70
11тг 36 926,67
12тг 40 283,64
13тг 43 640,61
14тг 46 997,58
15тг 50 354,55

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 424,02
5 - 24тг 3 356,97
25 - 49тг 2 883,15
50 - 99тг 2 825,04
100+тг 2 391,45

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

69 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

156 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS