IXYS IXFH44N50P MOSFET

Код товара RS: 194-552Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH44N50PDistrelec Article No.: 30253324
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

650 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 553,65

тг 3 553,65 Each (ex VAT)

IXYS IXFH44N50P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 553,65
2тг 7 107,30
3тг 10 660,95
4тг 14 214,60
5тг 17 410,65
6тг 20 892,78
7тг 24 374,91
8тг 27 857,04
9тг 31 339,17
10тг 34 821,30
11тг 38 303,43
12тг 41 785,56
13тг 45 267,69
14тг 48 749,82
15тг 52 231,95

тг 3 553,65

тг 3 553,65 Each (ex VAT)

IXYS IXFH44N50P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 553,65
2тг 7 107,30
3тг 10 660,95
4тг 14 214,60
5тг 17 410,65
6тг 20 892,78
7тг 24 374,91
8тг 27 857,04
9тг 31 339,17
10тг 34 821,30
11тг 38 303,43
12тг 41 785,56
13тг 45 267,69
14тг 48 749,82
15тг 52 231,95

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 553,65
5 - 19тг 3 482,13
20 - 49тг 2 999,37
50 - 99тг 2 936,79
100+тг 2 476,38

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

650 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS