Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

IXYS IXFH170N10P MOSFET

Код товара RS: 193-509Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH170N10PDistrelec Article No.: 30253310
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

198 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 576,00

тг 3 576,00 Each (ex VAT)

IXYS IXFH170N10P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 576,00
2тг 7 152,00
3тг 10 728,00
4тг 14 304,00
5тг 14 393,40
6тг 17 272,08
7тг 20 150,76
8тг 23 029,44
9тг 25 908,12
10тг 28 786,80
11тг 31 665,48
12тг 34 544,16
13тг 37 422,84
14тг 40 301,52
15тг 43 180,20

тг 3 576,00

тг 3 576,00 Each (ex VAT)

IXYS IXFH170N10P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 576,00
2тг 7 152,00
3тг 10 728,00
4тг 14 304,00
5тг 14 393,40
6тг 17 272,08
7тг 20 150,76
8тг 23 029,44
9тг 25 908,12
10тг 28 786,80
11тг 31 665,48
12тг 34 544,16
13тг 37 422,84
14тг 40 301,52
15тг 43 180,20

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 576,00
5 - 19тг 2 878,68
20 - 49тг 2 503,20
50 - 99тг 2 243,94
100+тг 2 060,67

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

714 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

198 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS