Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS C3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Высота
9.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 789,28
тг 1 394,64 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 789,28
тг 1 394,64 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 1 394,64 | тг 2 789,28 |
50 - 198 | тг 1 068,33 | тг 2 136,66 |
200 - 998 | тг 1 014,69 | тг 2 029,38 |
1000 - 1998 | тг 639,21 | тг 1 278,42 |
2000+ | тг 625,80 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS C3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Высота
9.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.