Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET

Код товара RS: 784-0325PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLML5203TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.