Infineon IRFS7534TRLPBF MOSFET

Код товара RS: 165-6504Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFS7534TRLPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

StrongIRFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

294 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRFS7534TRLPBF MOSFET

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRFS7534TRLPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

StrongIRFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

294 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.