Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF

Код товара RS: 220-7490Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFR1010ZTRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0075 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Количество элементов на ИС

2

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0075 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Количество элементов на ИС

2