Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 130 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4668PBF

Код товара RS: 688-7027Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFP4668PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

520 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

161 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 124,53

тг 3 124,53 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 130 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4668PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 124,53
2тг 6 249,06
3тг 9 373,59
4тг 12 498,12
5тг 15 309,75
6тг 18 371,70
7тг 21 433,65
8тг 24 495,60
9тг 27 557,55
10тг 22 841,70
11тг 25 125,87
12тг 27 410,04
13тг 29 694,21
14тг 31 978,38
15тг 34 262,55

тг 3 124,53

тг 3 124,53 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 130 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4668PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 124,53
2тг 6 249,06
3тг 9 373,59
4тг 12 498,12
5тг 15 309,75
6тг 18 371,70
7тг 21 433,65
8тг 24 495,60
9тг 27 557,55
10тг 22 841,70
11тг 25 125,87
12тг 27 410,04
13тг 29 694,21
14тг 31 978,38
15тг 34 262,55

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 124,53
5 - 9тг 3 061,95
10 - 19тг 2 284,17
20 - 49тг 2 235,00
50+тг 2 033,85

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

520 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

161 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.