Infineon IRFB4110PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4.5 mO
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
370 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 123,25
тг 2 123,25 Each (ex VAT)
1
тг 2 123,25
тг 2 123,25 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 123,25 |
| 10 - 49 | тг 1 256,07 |
| 50 - 99 | тг 1 224,78 |
| 100 - 249 | тг 1 153,26 |
| 250+ | тг 1 086,21 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4.5 mO
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
370 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.