Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 17 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB IRFB4019PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 106,65
тг 621,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 3 106,65
тг 621,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 621,33 | тг 3 106,65 |
| 25 - 45 | тг 339,72 | тг 1 698,60 |
| 50 - 95 | тг 330,78 | тг 1 653,90 |
| 100 - 245 | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
| 250+ | тг 295,02 | тг 1 475,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.