Infineon IRF7946TRPBF MOSFET

Код товара RS: 130-0965PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF7946TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

198 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

DirectFET

Тип корпуса

DirectFET ISOMETRIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

141 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.53мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IRF7946TRPBF MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IRF7946TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

198 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

DirectFET

Тип корпуса

DirectFET ISOMETRIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

141 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.53мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.