Infineon DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF7749L1TRPBF

Код товара RS: 907-5205Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF7749L1TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

375 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

7.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.49мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF7749L1TRPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 4
1P.O.A.
5P.O.A.
9P.O.A.
13P.O.A.
17P.O.A.
21P.O.A.
25P.O.A.
29P.O.A.
33P.O.A.
37P.O.A.
41P.O.A.
45P.O.A.
49P.O.A.
53P.O.A.
57P.O.A.

P.O.A.

Infineon DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF7749L1TRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 4
1P.O.A.
5P.O.A.
9P.O.A.
13P.O.A.
17P.O.A.
21P.O.A.
25P.O.A.
29P.O.A.
33P.O.A.
37P.O.A.
41P.O.A.
45P.O.A.
49P.O.A.
53P.O.A.
57P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

375 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

7.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.49мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.