Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.54мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Ширина
4.69мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 708,82
тг 1 354,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 708,82
тг 1 354,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 1 354,41 | тг 2 708,82 |
10 - 18 | тг 750,96 | тг 1 501,92 |
20 - 38 | тг 733,08 | тг 1 466,16 |
40 - 98 | тг 719,67 | тг 1 439,34 |
100+ | тг 634,74 | тг 1 269,48 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.54мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Ширина
4.69мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.