Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF1404ZPBF

Код товара RS: 688-6813Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF1404ZPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 708,82

тг 1 354,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF1404ZPBF
Select packaging type

тг 2 708,82

тг 1 354,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF1404ZPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 354,41тг 2 708,82
10 - 18тг 750,96тг 1 501,92
20 - 38тг 733,08тг 1 466,16
40 - 98тг 719,67тг 1 439,34
100+тг 634,74тг 1 269,48

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.