Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 170-2295Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB64N25S320ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

64 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

OptiMOS-T

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.25мм

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

67 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.4мм

P.O.A.

Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

64 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

OptiMOS-T

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.25мм

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

67 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.4мм