Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

Код товара RS: 284-721Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IMT65R048M1HXUMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

1 Reel of 1 (ex VAT)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

P.O.A.

1 Reel of 1 (ex VAT)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC