Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1

Код товара RS: 220-7366Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IAUT200N08S5N023ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0023 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0023 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Количество элементов на ИС

1