Infineon N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 BSS214NWH6327XTSA1

Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,8 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 7 822,50
тг 31,29 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
тг 7 822,50
тг 31,29 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Катушка |
---|---|---|
250 - 750 | тг 31,29 | тг 7 822,50 |
1000 - 2750 | тг 22,35 | тг 5 587,50 |
3000 - 5750 | тг 17,88 | тг 4 470,00 |
6000+ | тг 17,88 | тг 4 470,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,8 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.