Infineon BSL215CH6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 110-7726PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSL215C H6327
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ, 280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.6 V, 1.2 V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7 V, 1.2 V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,73 нКл при 4,5 В, 3 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSL215CH6327XTSA1 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 60.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 60.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

60

Доступно в кратности 60
60P.O.A.
120P.O.A.
180P.O.A.
240P.O.A.
300P.O.A.
360P.O.A.
420P.O.A.
480P.O.A.
540P.O.A.
600P.O.A.
660P.O.A.
720P.O.A.
780P.O.A.
840P.O.A.
900P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSL215CH6327XTSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 60.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 60.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

60

Доступно в кратности 60
60P.O.A.
120P.O.A.
180P.O.A.
240P.O.A.
300P.O.A.
360P.O.A.
420P.O.A.
480P.O.A.
540P.O.A.
600P.O.A.
660P.O.A.
720P.O.A.
780P.O.A.
840P.O.A.
900P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ, 280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.6 V, 1.2 V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7 V, 1.2 V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,73 нКл при 4,5 В, 3 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.