Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC030P03NS3GAUMA1

Код товара RS: 906-4309Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC030P03NS3G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS P

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC030P03NS3GAUMA1
Select packaging type

P.O.A.

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC030P03NS3GAUMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS P

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.