Infineon BSC011N03LSATMA1 MOSFET

Код товара RS: 178-7481Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC011N03LSATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.35мм

Длина

6.1мм

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC011N03LSATMA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 5000
1P.O.A.
5001P.O.A.
10001P.O.A.
15001P.O.A.
20001P.O.A.
25001P.O.A.
30001P.O.A.
35001P.O.A.
40001P.O.A.
45001P.O.A.
50001P.O.A.
55001P.O.A.
60001P.O.A.
65001P.O.A.
70001P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSC011N03LSATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 5000
1P.O.A.
5001P.O.A.
10001P.O.A.
15001P.O.A.
20001P.O.A.
25001P.O.A.
30001P.O.A.
35001P.O.A.
40001P.O.A.
45001P.O.A.
50001P.O.A.
55001P.O.A.
60001P.O.A.
65001P.O.A.
70001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.35мм

Длина

6.1мм

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.