Diodes Inc P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP3A16GTA

Код товара RS: 708-2545Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMP3A16GTA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

29,6 нКл при 10 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.8мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
onsemi P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NDT456P
тг 679,44Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

тг 1 564,50

тг 312,90 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP3A16GTA
Select packaging type

тг 1 564,50

тг 312,90 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP3A16GTA

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 312,90тг 1 564,50
25 - 45тг 254,79тг 1 273,95
50 - 95тг 250,32тг 1 251,60
100 - 245тг 192,21тг 961,05
250+тг 192,21тг 961,05
Вас может заинтересовать
onsemi P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NDT456P
тг 679,44Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

29,6 нКл при 10 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.8мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
onsemi P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NDT456P
тг 679,44Each (In a Pack of 5) (ex VAT)