Diodes Inc Quad N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.98 A, 30 V, 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC

Код товара RS: 751-5344Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMHC3F381N8TC
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 А, 4,98 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,35 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

9 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 039,60

тг 607,92 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc Quad N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.98 A, 30 V, 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 039,60
10тг 6 079,20
15тг 9 118,80
20тг 12 158,40
25тг 11 733,75
30тг 14 080,50
35тг 16 427,25
40тг 18 774,00
45тг 21 120,75
50тг 23 467,50
55тг 25 814,25
60тг 28 161,00
65тг 30 507,75
70тг 32 854,50
75тг 35 201,25

тг 3 039,60

тг 607,92 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc Quad N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.98 A, 30 V, 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 039,60
10тг 6 079,20
15тг 9 118,80
20тг 12 158,40
25тг 11 733,75
30тг 14 080,50
35тг 16 427,25
40тг 18 774,00
45тг 21 120,75
50тг 23 467,50
55тг 25 814,25
60тг 28 161,00
65тг 30 507,75
70тг 32 854,50
75тг 35 201,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 607,92тг 3 039,60
25 - 120тг 469,35тг 2 346,75
125 - 495тг 339,72тг 1 698,60
500 - 2495тг 299,49тг 1 497,45
2500+тг 272,67тг 1 363,35

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 А, 4,98 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,35 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

9 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.