Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13

Код товара RS: 146-4775PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMTH6016LSD-13
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DMT

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

28 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

3.95мм

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 при 10 В нКл

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.5мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DMT

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

28 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

3.95мм

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 при 10 В нКл

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.5мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.