Diodes Inc P-Channel MOSFET, 18.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 DMP6023LE-13

Код товара RS: 921-1158Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP6023LE-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

17,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.55мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.55мм

Типичный заряд затвора при Vgs

53,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 18.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 DMP6023LE-13
Select packaging type

P.O.A.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 18.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 DMP6023LE-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

17,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.55мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.55мм

Типичный заряд затвора при Vgs

53,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.