Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3099L-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,08 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 576,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 3 576,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 400 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 500 - 900 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 1000 - 2400 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 2500 - 4900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 5000+ | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,08 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре