Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
113 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 8 493,00
тг 84,93 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 8 493,00
тг 84,93 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
100 - 400 | тг 84,93 | тг 8 493,00 |
500 - 900 | тг 44,70 | тг 4 470,00 |
1000 - 2900 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
3000 - 5900 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
6000+ | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
113 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре