Diodes Inc P-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7

Код товара RS: 751-4256Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP2305U-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

113 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 8 493,00

тг 84,93 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7
Select packaging type

тг 8 493,00

тг 84,93 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 84,93тг 8 493,00
500 - 900тг 44,70тг 4 470,00
1000 - 2900тг 35,76тг 3 576,00
3000 - 5900тг 31,29тг 3 129,00
6000+тг 22,35тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

113 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.