Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
X1-DFN1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Длина
1.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0.8 nC @ 8V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.25мм
Высота
0.48мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
X1-DFN1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Длина
1.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0.8 nC @ 8V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.25мм
Высота
0.48мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China