Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
407 mA
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
X1-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.67мм
Длина
1.07мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
0.48мм
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
407 mA
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
X1-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
0.67мм
Длина
1.07мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
0.48мм
Страна происхождения
China