Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
61 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,49 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 799,50
тг 151,98 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 799,50
тг 151,98 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 151,98 | тг 3 799,50 |
125 - 600 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
625 - 1225 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
1250 - 2475 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
2500+ | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
61 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,49 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре