Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B

Код товара RS: 770-5128PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN2300UFB4-7B
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.