Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B

Код товара RS: 770-5128Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN2300UFB4-7B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 246,50

тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
Select packaging type

тг 4 246,50

тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 84,93тг 4 246,50
250 - 1200тг 35,76тг 1 788,00
1250 - 4950тг 31,29тг 1 564,50
5000 - 9950тг 22,35тг 1 117,50
10000+тг 17,88тг 894,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.