Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.95V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
250 - 1200 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
1250 - 4950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
5000 - 9950 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
10000+ | тг 17,88 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.95V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре