DiodesZetex DMN2300UFB4-7B MOSFET

Код товара RS: 122-1467Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN2300UFB4-7B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

0.65мм

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.35мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN2300UFB4-7B MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN2300UFB4-7B MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

0.65мм

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.35мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.