Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B

Код товара RS: 921-1057Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN1260UFA-7B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

500 мА

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

X2-DFN0806

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

0.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,96 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
Select packaging type

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

500 мА

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

X2-DFN0806

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

0.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,96 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.