Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
X2-DFN0806
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
0.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,96 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
X2-DFN0806
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
0.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,96 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре