Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А, 7,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мОм, 80 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
4
Ширина
3.95мм
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,4 нКл при 10 В, 11,7 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А, 7,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мОм, 80 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
4
Ширина
3.95мм
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,4 нКл при 10 В, 11,7 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре