DiodesZetex DMHC3025LSD-13 MOSFET

Код товара RS: 122-3273Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMHC3025LSD-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А, 7,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

4

Ширина

3.95мм

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,4 нКл при 10 В, 11,7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMHC3025LSD-13 MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMHC3025LSD-13 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А, 7,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

4

Ширина

3.95мм

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,4 нКл при 10 В, 11,7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.