Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
7 А, 8,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мОм, 53 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
16,1 нКл при 10 В, 21,1 нКл при 4,5 В
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
4.95мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
7 А, 8,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мОм, 53 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
16,1 нКл при 10 В, 21,1 нКл при 4,5 В
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
4.95мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре