Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13

Код товара RS: 751-4067PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMC3021LSD-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

7 А, 8,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мОм, 53 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

16,1 нКл при 10 В, 21,1 нКл при 4,5 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

7 А, 8,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мОм, 53 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

16,1 нКл при 10 В, 21,1 нКл при 4,5 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.