Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002W-7-F
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 1 788,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 1 788,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 250 - 450 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 500 - 950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 1000 - 2450 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 2500+ | тг 17,88 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре