Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
16Мбит
Организация
1М слов x 16 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
20бит
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
12 x 18.4 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
12мм
Ширина
18.4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
1
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
16Мбит
Организация
1М слов x 16 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
20бит
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
12 x 18.4 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
12мм
Ширина
18.4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Информация о товаре