NXP PHE13009 Транзистор

Код товара RS: 801-5662PБренд: WeEn Semiconductors Co., LtdПарт-номер производителя: PHE13009
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

700 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальная рабочая частота

60 Гц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.3 x 4.5 x 15.8мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Информация о товаре

High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors

Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

NXP PHE13009 Транзистор
Select packaging type

P.O.A.

NXP PHE13009 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

700 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальная рабочая частота

60 Гц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.3 x 4.5 x 15.8мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Информация о товаре

High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors

Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors

Вас может заинтересовать